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半导体激光器与氦氖激光器对比

日期: 2021-03-19
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    浙江大学发表于光学技术期刊第 3 4 卷 增 刊 2 0 0 8年1 2月 文章编号 : 100221582 (2008) S20196202 中明确提到氦氖激光器作为一种传统的光源,易受外界震动以及温度和湿度的变化对其输出光功率影响较大 ,如果一段时间不使用 ,常常会发生不能正常发光的情况 ,寿命相对较短 ,外形尺寸庞大 ,需要高压激励 ,电磁干扰严重, 而半导体激光器具有体积小 ,重量轻、效率高、寿命长、使用方便等一系列优点 ,是取代 He-Ne 激光器的理想光源。半导体激光器通过使用恒流源驱动配合PID温控自动调节系统,加上独特的光路设计系统和自校准功能可使红外结石分析仪设备达到比使用He-Ne激光器设备更优异的技术参数要求,目前主流红外设备厂家(如美国赛默飞世尔科技的Nicolet iS 5 FT-IR 光谱仪和德国布鲁克布鲁克INVENIO傅立叶变换红外光谱仪使用的都是半导体激光器),半导体激光器代表着仪器未来发展的主流方向。

调制性能及功率控制

半导体激光器可以进行高速的数字及模拟调制。其数字调制(TTL 调制)可达 350MHz,上升沿下降延时间均小于 1 个纳秒,过冲小于 10%。模拟调制也可达 5MHz。而且半导体激光的输出功率可以通过对输入电流的控制或模拟调制信号方便地进行控制。而氦氖激光器一般无法提供调制功能功率也无法进行调节。




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